Производитель Номер продукта:
TSM150NB04CR RLG
Product Overview
Производитель:
Taiwan Semiconductor Corporation
Номер детали:
TSM150NB04CR RLG-DG
Описание:
MOSFET N-CH 40V 10A/41A 8PDFN
Подробное описание:
N-Channel 40 V 10A (Ta), 41A (Tc) 3.1W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5.2x5.75)
Инвентаризация:
5000 Шт Новые Оригиналы В Наличии
12895249
Запросить котировку
Количество
Минимум 1
Минимум 1
QjuK
(*) обязательно
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
Мы свяжемся с вами в течение 24 часов
ОТПРАВИТЬ
TSM150NB04CR RLG Технические характеристики
Категория
ППТ, МОПТ, Одиночные FET, MOSFET
Производитель
Taiwan Semiconductor
Упаковка
Tape & Reel (TR)
Серия
-
Статус продукта
Active
Тип полевых транзисторов
N-Channel
Технологии
MOSFET (Metal Oxide)
Напряжение стока к источнику (Vdss)
40 V
Ток - непрерывный сток (Id) @ 25°C
10A (Ta), 41A (Tc)
Напряжение привода (макс. рдс вкл., мин. вкл.)
10V
Rds On (макс.) @ id, vgs
15mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Макс) @ Id
4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (макс.)
±20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds
1092 pF @ 20 V
Функция полевых транзисторов
-
Рассеиваемая мощность (макс.)
3.1W (Ta), 56W (Tc)
Рабочая температура
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления
Surface Mount
Комплект устройства поставщика
8-PDFN (5.2x5.75)
Упаковка / Чехол
8-PowerLDFN
Базовый номер продукта
TSM150
Технический паспорт и документы
Технические характеристики
Дополнительная информация
Стандартный пакет
2,500
Другие названия
TSM150NB04CRRLGCT
TSM150NB04CRRLGTR
TSM150NB04CRRLGDKR
Классификация окружающей среды и экспорта
Статус RoHS
ROHS3 Compliant
Уровень чувствительности к влаге (MSL)
1 (Unlimited)
Статус REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
ХИТСУС
8541.29.0095
Сертификация DIGI
Связанные продукты
DMN3008SFG-13
MOSFET N-CH 30V 17.6A PWRDI3333
DMTH10H010SPS-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
TSM220NB06LCR RLG
MOSFET N-CH 60V 8A/35A 8PDFN
